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　　一、考试要求

　　半导体器件物理主要考察学生对半导体基础物理的理解与掌握，包括半导体中的电子状态、杂质和缺陷、载流子统计分布、导电性、非平衡载流子;对半导体基础器件特性的理解与掌握，包括金属半导体接触、PN结、

异质结、表面态、MOSFET等;以及运用半导体物理的基础理论,分析常见半导体器件的特性的能力。

　　二、考试内容

　　1.半导体中的电子状态

　　a.半导体的晶格结构

　　b.能带论

　　c.有效质量

　　d.回旋共振实验

　　e.硅和锗的能带结构

　　2.半导体中的杂质和缺陷

　　a.元素半导体的杂质能级

　　b.化合物半导体的杂质能级

　　c.缺陷、位错能级

　　3.半导体中载流子的统计分布

　　a.状态密度

　　b.费米分布函数和费米能级

　　c.本征载流子浓度

　　d.杂质半导体载流子浓度

　　e.一般情况下的载流子浓度

　　f.简并半导体

　　4.半导体的导电性

　　a.载流子的漂移运动和迁移率

　　b.载流子的散射

　　c.迁移率与杂质浓度和温度的关系

　　d.电阻率与杂质浓度和温度的关系

　　5.非平衡载流子

　　a.非平衡载流子的注入

　　b.非平衡载流子的寿命

　　c.准费米能级

　　d.复合理论

　　e.载流子扩散运动

　　f.爱因斯坦关系

　　g.硅的少数载流子寿命与扩散长度

　　6.金属和半导体的接触

　　a.金属半导体接触及能级图

　　b.金属半导体接触整流理论

　　c.少数载流子的注入和欧姆接触

　　7.PN结

　　a.PN结及能带图

　　b.PN结电流-电压特性

　　c.PN结电容

　　d.PN结击穿

　　e.PN结隧道效应

　　8.半导体表面和MIS结构

　　a.表面态

　　b.表面电场效应

　　c.MIS结构的电容-电压特性

　　d.硅-二氧化硅系统的性质

　　9.半导体异质结

　　a.半导体异质结及能带图

　　b.半导体异质PN结的电流-电压特性

　　c.半导体异质结量子阱结构

　　10.金属-氧化物-半导体场效应晶体管

　　a.理想MOS结构的空间电荷区

　　b.沟道电导与阈值电压

　　c.实际MOS的电容-电压特性

　　d.MOSFET的基本结构和工作原理

　　e.等效电路和频率响应

　　f.MOSFET的类型

　　g.影响阈值电压的因素

　　三、考试形式

　　考试形式为闭卷、笔试，考试时间为2小时，满分100分。

　　题型包括:选择题、填空题、判断题、简答题(名词解释、机理分析、画图等)、计算题。

　　四、参考书目

　　1.《半导体物理学》(第8版)，刘恩科、朱秉生、罗晋生编著，电子工业出版社，2023。

　　2.《半导体器件物理》(第三版)，孟庆巨主编，科学出版社，2022。