研晟考研-以研促教,研精毕智,厚德载晟!
24小时报名热线
17800217637

2024年北京科技大学自动化学院仪器类硕士招生试题答案-1

作者:研晟
2023-07-17 15:01:25
361
来源:北京科技大学官网
收藏

研晟考研,专注清华北大等985/211名校考研辅导,拥有完善的服务团队,专属定制化的考研备考规划,力争实现每位学子的考研梦、名校梦。

1 基本器件(每小题 6 分,共 30 分)

(1)升高; 3

温度升高时,热运动加剧,挣脱共价键的自由电子、空穴随之增多。 3

(2)单向导电,稳压,发光。 2*3

(3) 3/条*2

image.png

(4)R=(5-0.3-2)/0.01=270 欧 4

P>=0.01^2*270=0.027W 2

(5)不能; 2

在三极管制造中,发射区的多数载流子浓度远大于基区,同时基区做得很薄。

一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的

多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度远大

于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流。

由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入

集电区而形成集电极电流,基区少数载流子的复合机会很少,只剩很少(1-10%)

的电子与基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源 Eb 重新补给,

从而形成基极电流.

image.png

由于串联二极管不具备这些特征,无法放大! 4


预约
报名
在线咨询 微信
微信咨询
QQ群
(1)群
(2)群
(3)群
(4)群
常见问题 联系我们

17800217637